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J-GLOBAL ID：201102248514827941   整理番号：11A0797592

フィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTの耐圧特性の解析(2)

著者 (3件)： 小野寺啓 (芝浦工大 システム工) ,  中島敦 (芝浦工大 システム工) ,  堀尾和重 (芝浦工大 システム工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 58th  ページ： ROMBUNNO.27A-P9-3  発行年： 2011年03月09日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *HEMT ,  窒化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  半導体材料 ,  *電流電圧特性 ,  電流 ,  電圧 ,  素子構造 ,  ドレイン電圧
準シソーラス用語： ゲート電流 ,  ドレイン電流 ,  ゲート電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： フィールド ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  耐圧特性 ,  解析