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J-GLOBAL ID:201102249778588208   整理番号:11A1829755

SiGe量子ドットプローブによる局所相互作用イメージング

Local interaction imaging by SiGe quantum dot probe
著者 (19件):
資料名:
巻: 12  号:ページ: 581-584  発行年: 2012年03月 
JST資料番号: W1579A  ISSN: 1567-1739  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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大気圧での周波数変調モード非接触原子間力顕微鏡により,高アスペクト比(HAR)SiGe量子ドット(QD)プローブを用いて,劈開したInAs(110)表面の局所相互作用をイメージ化することに成功した。大きな輝度を持つ局所コントラスト像が得られたのは,主に,HAR SiGe-QDプローブ開口と試料表面間の非接触ポテンシャル差,および,HAR SiGe-QDプローブの低い周波数変化に起因する。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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電子顕微鏡,イオン顕微鏡 
タイトルに関連する用語 (4件):
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