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J-GLOBAL ID：201102250075818730   整理番号：11A1024428

c-サファイヤ基板上での六角柱GaNナノ構造体のウエファースケールの領域選択成長

Wafer-scale selective area growth of GaN hexagonal prismatic nanostructures on c-sapphire substrate

著者 (9件)： CHEN X.j. (Equipe mixte CEA-CNRS-UJF “Nanophysique et semiconducteurs”, CEA, INAC, SP2M, NPSC, 17 rue des Martyrs, 38054 ...) ,  HWANG J.s. (Equipe mixte CEA-CNRS-UJF “Nanophysique et semiconducteurs”, Inst. Neel-CNRS, 25 rue des Martyrs, BP 166, Fr-38042 ...) ,  PERILLAT-MERCEROZ G. (CEA, LETI, Minatec Campus, 38054 Grenoble Cedex 9, FRA) ,  PERILLAT-MERCEROZ G. (CEA, INAC, SP2M, LEMMA, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, FRA) ,  LANDIS S. (CEA, LETI, Minatec Campus, 38054 Grenoble Cedex 9, FRA) ,  MARTIN B. (CEA, LETI, Minatec Campus, 38054 Grenoble Cedex 9, FRA) ,  LE SI DANG D. (Equipe mixte CEA-CNRS-UJF “Nanophysique et semiconducteurs”, Inst. Neel-CNRS, 25 rue des Martyrs, BP 166, Fr-38042 ...) ,  EYMERY J. (Equipe mixte CEA-CNRS-UJF “Nanophysique et semiconducteurs”, CEA, INAC, SP2M, NPSC, 17 rue des Martyrs, 38054 ...) ,  DURAND C. (Equipe mixte CEA-CNRS-UJF “Nanophysique et semiconducteurs”, CEA, INAC, SP2M, NPSC, 17 rue des Martyrs, 38054 ...)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 322  号： 1  ページ： 15-22  発行年： 2011年05月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノインプリントリソグラフィによりパターン(直径400nmの円形孔のアレイ)を形成したSi₃N₄マスクを用いて,2インチ径のc-サファイヤ基板上にGaN構造体の選択成長を実施した。高温(1040^oC)でのc-配向六角柱ナノ構造体の選択的な均一核生成が向上するための新規プロセスを開発した。そのプロセスは950^oCでGaNの最初の核生成段階と,それに続く高温成長前のアンモニアによるアニーリング処理からなる。構造解析からGaNナノ構造体はマスク上で横方向被覆成長を伴ってc-サファイヤにエピタキシャル成長していることが明らかになった。横方向被覆成長領域の高品質な歪みが緩和された結晶に比べ,界面には大きなGaN/サファイヤ格子間の不整合による歪みと転位が観察された。GaNナノ構造体のサイズに対するカソードルミネッセンスによる研究からこれらの観察は確認された。横方向被覆成長のGaNナノ構造体の欠陥密度は低く,サファイヤ基板に直接エピタキシャル成長した結晶に比べ強いバンド端発光(NBE)を示した。ナノ構造体サイズによるNBE位置のシフトは,主に圧縮歪みと表面マスクの拡散によるシリコンのドーピングの組み合わせに起因する。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *ナノ構造 ,  *選択成長 ,  エピタクシー ,  半導体薄膜 ,  リソグラフィー ,  パターン形成 ,  結晶成長 ,  陰極線ルミネセンス ,  ケイ素 ,  ドーピング ,  サファイア ,  六方晶系 ,  鉱石 ,  宝石

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： サファイヤ基板 ,  六角柱 ,  GaN ,  ナノ構造体 ,  領域選択成長