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J-GLOBAL ID：201102250106437170   整理番号：11A0849674

ナノポーラスシリコンの創成

著者 (5件)： 矢作徹 (山形県工技セ) ,  阿部泰 (山形県工技セ) ,  岩松新之輔 (山形県工技セ) ,  渡部善幸 (山形県工技セ) ,  小林誠也 (山形県工技セ)
資料名： 山形県工業技術センター報告  (Reports of Yamagata Research Institute of Technology)
号： 42  ページ： 46-50  発行年： 2011年03月 
JST資料番号： F0568A  ISSN： 0286-813X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 各種デバイスに応用できるポーラスシリコン(PSi)を,フッ酸溶液中で単結晶シリコンを陽極酸化することによってつくった。MEMSデバイスへ応用可能なPSiの作製技術に関して得られた知見を示した。フッ素酸濃度が低くなるほど,また電流密度が大きくなるほど多孔度が増した。エタノールや界面活性剤等の添加により均一な構造のPSiが形成された。ウエハの比抵抗の違いによりPSi構造が変化した。導電率計測評価において,PSiの形成により導電率特性の直線性が向上した。

シソーラス用語： MEMS ,  *ケイ素 ,  材料 ,  多孔質体 ,  *多孔性 ,  単結晶 ,  *アノード酸化 ,  濃度依存性 ,  電流密度 ,  空隙率 ,  界面活性剤 ,  添加物効果 ,  ウエハ【IC】 ,  電気抵抗率 ,  電気伝導率 ,  線形性 ,  走査電子顕微鏡 ,  Tween20 ,  Triton X-100 ,  N型半導体 ,  P型半導体 ,  脂肪族アルコール
準シソーラス用語： MEMSデバイス ,  *シリコン ,  ナノポーラス材料 ,  *ナノ多孔性 ,  フッ酸 ,  *陽極酸化 ,  多孔度 ,  比抵抗 ,  導電率 ,  直線性

分類 (3件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： エタノール

引用文献 (3件)：

• 1) LEIGH,C. (Ed.) (1997) . Properties of porous Silicon. INSPEC,IEE.
• 2)越田信義 (2005). ナノ結晶シリコンの弾道電子現象と素子化に関する研究 平成15年度~平成16年度科学研究費補助金研究成果報告書
• 3)越田信義 (2008). 量子サイズシリコンの光・電子・音響特性の解明と情報機能統合 平成18年度~平成19年度科学研究費補助金研究成果報告書

タイトルに関連する用語 (2件)： ポーラスシリコン ,  創成