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J-GLOBAL ID：201102252328895179   整理番号：11A1835385

電子磁気共鳴(ECR)プラズマのSiCキャップアニール膜への応用

Application of ECR Plasma to SiC Cap Annealing Films

著者 (5件)： 廣野滋 (エム・イー・エス・アフティ 八王子工場) ,  田嶌哲也 (エム・イー・エス・アフティ 玉野工場) ,  鳥居博典 (エム・イー・エス・アフティ 八王子工場) ,  天沢敬生 (エム・イー・エス・アフティ 八王子工場) ,  岡崎良弘 (三井造船)
資料名： 三井造船技報  (Mitsui Zosen Technical Review)
号： 204  ページ： 19-24  発行年： 2011年10月31日 
JST資料番号： G0812A  ISSN： 0026-6825  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SiCパワーデバイスは,省エネルギーヘの強い要求に応えることができるデバイスとして期待され,近年その研究開発が急激に立ち上がりつつある。エム・イー・エス・アフティ株式会社では,独自技術である電子磁気共鳴(ECR)プラズマを用いた成膜装置の製造販売を展開しており,マーケット拡大の一環として,SiCパワーデバイス用のキャップアニール膜への適用を検討した。ECRプラズマで成膜したカーボン膜は,ダイヤモンドに匹敵する硬さとダイヤモンドより19桁大きい電気伝導性を有する新規な結晶性カーボン材料である。この膜は,2000°Cに近い耐熱性を示すため,SiCへのイオン注入後の活性化アニール用のキャップ膜として有効であり,この手法により,アニール後SiC基板において,原子レベルで平たんな表面が得られる技術を確立した。(著者抄録)

シソーラス用語： ESR【磁気共鳴】 ,  半導体素子 ,  *ECRプラズマ ,  導電性 ,  炭素材 ,  耐熱性 ,  *焼なまし ,  スパッタリング ,  エッチング ,  イオン注入 ,  炭化ケイ素 ,  *薄膜形成 ,  *プラズマ
準シソーラス用語： SiC ,  *アニール処理 ,  カーボン材料 ,  パワーデバイス ,  *成膜 ,  電子磁気共鳴

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

引用文献 (7件)：

• 1) 榎本. 外 : 薄膜トライボロジー, (1994), p.103, 東京大学出版会
• 2) T. Ono, et al. : Electron Cyclotron Resonance Plasma Source for Conductive Film Deposition, J. Vac. Sci. Technol., Al2, 4 (1994) , p. 1281
• 3) R. Geller : Electron Cyclotron Resonance Ion Sources and ECR Plasmas (1996), p.100, Institute of Physics Publishing
• 4) 市村. 外 : ゾラズマブロセスによる薄膜の基礎と応用, (2005), p.235, 月刊工業新聞社
• 5) S.Hirono, et al.: Superhard Conductive carbon nanocrystallite films, Appl Phys. Let., 80 (2002), p. 425

タイトルに関連する用語 (6件)： 電子磁気共鳴 ,  プラズマ ,  SiC ,  キャップ ,  アニール ,  応用