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J-GLOBAL ID：201102254300114883   整理番号：11A0171894

多結晶シリコン太陽電池の作製における室温レーザードーピング

Laser Doping at Room Temperature in Multi-crystalline Silicon Solar Cell Process

著者 (5件)： 長谷川光洋 (奈良先端科学技術大学院大) ,  平田憲司 (奈良先端科学技術大学院大) ,  高山環 (奈良先端科学技術大学院大) ,  舟谷友宏 (奈良先端科学技術大学院大) ,  冬木隆 (奈良先端科学技術大学院大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 351(SDM2010 185-203)  ページ： 25-28  発行年： 2010年12月10日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 近年,次世代クリーンエネルギーとして太陽電池の需要が世界的に急増している。それに伴い,シリコン原料の不足やコスト削減という面から,歩留りよく高効率な薄型シリコン太陽電池を作製できるプロセスの開発が急務となっている。そこで本研究では,低温プロセスであるレーザーを用いたドーピング法による多結晶太陽電池の作製を目的とする。これまでに,波長532nmのNd:YVO₄レーザーを用いて太陽電池を作製し,多結晶基板において懸念されていた結晶粒界による悪影響がないことを確認した。また,レーザー照射により基板表面にキャビティが形成されることがわかった。さらに,レーザー照射を2回行うことでキャビティの除去及び特性の向上が確認できた。(著者抄録)

シソーラス用語： *ポリシリコン ,  *太陽電池 ,  室温 ,  *フォトドーピング ,  *レーザ照射 ,  クリーンエネルギー ,  *歩留り ,  効率 ,  低温 ,  固体レーザ ,  ネオジム ,  イットリウム化合物 ,  バナジウム酸塩 ,  多結晶 ,  基板 ,  結晶粒界 ,  空洞
準シソーラス用語： レーザドーピング ,  高効率 ,  Nd:YVO4レーザー

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (4件)：

• AKANE, T. Jpn. J. Apll. Phys. 1992, 31, 4437
• HORIUCHI, K. Proc. 22^<nd>EU-PVSEC, 2007. 2007, 1423
• TJAHJONO, B. Proc. 23^<rd> EU-PVSEC, 2008. 2008, 1995
• HIRATA, K. Proc. 24^<rd> EU-PVSEC, 2009. 2009, 1708

タイトルに関連する用語 (4件)： 多結晶シリコン太陽電池 ,  作製 ,  室温 ,  レーザードーピング