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J-GLOBAL ID：201102254751799251   整理番号：11A0627517

1MV/cm超の高強度THz光パルス照射下での半導体GaAsの光学応答

著者 (11件)： 篠北啓介 (東大 大学院) ,  廣理英基 (京大) ,  廣理英基 (JST-CREST) ,  白井正伸 (京大) ,  谷峻太郎 (東大 大学院) ,  田中秀明 (広大 先端) ,  角屋豊 (JST-CREST) ,  角屋豊 (広大 先端) ,  田中耕一郎 (東大 大学院) ,  田中耕一郎 (京大) ,  田中耕一郎 (JST-CREST)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 66  号： 1 第4分冊  ページ： 793  発行年： 2011年03月03日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 光パルス ,  *光照射 ,  化合物半導体 ,  *ヒ化ガリウム ,  交流電場 ,  キャリア ,  輸送現象 ,  励起状態 ,  電子構造 ,  バンドギャップ ,  *発光スペクトル ,  多重量子井戸 ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  励起子 ,  温度依存性 ,  テラヘルツ波 ,  高強度 ,  多体効果 ,  非線形応答
準シソーラス用語： THz波 ,  光学応答

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Cm ,  高強度 ,  光パルス ,  GaAs ,  光学応答