文献

J-GLOBAL ID：201102255192892021   整理番号：11A1575844

リバースc軸AlN薄膜の特性化

Characterization of Reversed c-axis AlN Thin Films

著者 (3件)： LARSON John D., III (Avago Technol., CA) ,  MISHIN Sergey (Advanced Modular Systems, CA, USA) ,  BADER Stefan (Avago Technol., CO, USA)
資料名： IEEE International Ultrasonics Symposium  (IEEE International Ultrasonics Symposium)
巻： 2010 Vol.2  ページ： 1054-1059  発行年： 2010年 
JST資料番号： A0437C  ISSN： 1948-5719  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ピエゾ電気材料であるアルミニウム窒化物AlN薄膜を使用した,共振器について検討した。フィルムバルク音響共鳴器の形式において,リバースc軸AlNフィルムで造られたリバースc軸フィルムバルク音響共鳴器に対する結果を提示した。トップのモリブデンの厚さ3077A,AlNタイプCNの厚さ12000Aの場合について実験を行った。周波数は0.1から8.5GHzである。混合スタック共振器に関し,低周波スタックと高周波スタックを提示した。周波数の温度依存性は-33ppm/°Cである。

シソーラス用語： 圧電材料 ,  *窒化アルミニウム ,  *薄膜 ,  *共振器 ,  管 ,  共鳴 ,  音波 ,  周波数 ,  温度依存性
準シソーラス用語： ピエゾ電気材料 ,  AlN ,  音響共鳴 ,  バルク音響波

分類 (2件)： 共振器  (NC04050Y) ,  音響の励起・発生  (BB03020V)

タイトルに関連する用語 (5件)： リバース ,  C軸 ,  AlN ,  薄膜 ,  特性化