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J-GLOBAL ID：201102255505127410   整理番号：11A1123580

ゲート制御したGaAs三分岐ナノワイヤ接合を用いた新しいナノワイヤ系フリップフロップ回路

Novel Nanowire-Based Flip-Flop Circuit Utilizing Gate-Controlled GaAs Three-Branch Nanowire Junctions

著者 (4件)： SHIBATA Hiromu (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  SHIRATORI Yuta (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  KASAI Seiya (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  KASAI Seiya (JST-PRESTO, Saitama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 50  号： 6,Issue 2  ページ： 06GF03.1-06GF03.5  発行年： 2011年06月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート制御したGaAs三分岐ナノワイヤ接合(TBJ)を集積した新しいセット-リセットフリップフロップ(SR-FF)回路を設計,作製,特性化した。Schottkyラップゲート(WPG)制御したTBJ及び同じ構造のインバータ回路を用いてAND,NOT,NANDを含む基本論理ゲートを作製した。このSR-FF回路は交差結合した一対のTBJ形NANDゲートを用いて設計した。GaAs系六角形ナノワイヤネットワーク上に回路を作製した。一よりも大きな電圧伝達利得を持つ正しい動作を実証した。回路面積の縮小と可能な動作速度についても論じた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ナノワイヤ ,  *双安定回路 ,  *ヒ化ガリウム ,  半導体材料 ,  化合物半導体 ,  制御 ,  ゲート【半導体】 ,  インバータ ,  *論理回路 ,  論理素子
準シソーラス用語： インバータ回路 ,  ゲート制御 ,  *フリップフロップ回路 ,  ラップゲート ,  論理ゲート

分類 (1件)： 論理回路  (NC05070B)

引用文献 (26件)：

• 1) H. Q. Xu. Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 2064.
• 2) I. Shorubalko, H. Q. Xu, I. Maximov, P. Omling, L. Samuelson, and W. Seifert: Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 1384.
• 3) D. Wallin, I. Shorubalko, H. Q. Xu, and A. Cappy: Appl. Phys Lett. 89 (2006) 092124.
• 4) J. Mateos, B. G. Vasallo, D. Pardo, T. Gonzalez, J. -S. Galloo, S. Bollaert, Y. Roelens, and A. Cappy: IEEE Trans. Electron Devices 50 (2003) 1897.
• 5) T. Nakamura, Y. Shiratori, S. Kasai, and T. Hashizume: Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 102104.

タイトルに関連する用語 (5件)： ゲート制御 ,  GaAs ,  分岐 ,  ナノワイヤ ,  フリップフロップ回路