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J-GLOBAL ID：201102257889526247   整理番号：11A1923871

Cr水溶液で洗浄し空気に曝露したp型Si(001)ウエハにおける交流表面光起電力法により同定した非晶質酸化物電荷変化

Anomalous Oxide Charge Variation Identified by Alternating Current Surface Photovoltage Method in Cr-Aqueous-Solution-Rinsed p-Type Si(001) Wafers Exposed to Air

著者 (2件)： SHIMIZU Hirofumi (Nihon Univ., Fukushima, JPN) ,  SANADA Yuji (Nihon Univ., Fukushima, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 50  号： 11,Issue 1  ページ： 111301.1-111301.4  発行年： 2011年11月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： クロム(Cr)水溶液で洗浄し,及び/又は弗化水素(HF)溶液に浸したp型Si(001)ウエハ表面を周波数依存交流表面光起電力法により調べた。Cr(OH)₃/p型Si界面では原理的にSchottky障壁は生成できなかった。Cr³⁺はメタライゼーション(Cr³⁺+3e^-→Cr)時にp型Si基板から電子を強制的に奪うと考えられる。従って,空気曝露の初期段階で正の固定酸化物電荷は電子により補償されると考えられ,交流表面光起電力の消失を示唆する。空気曝露時間と共に交流表面光起電力が再び現れ,Cr蒸着したp型Si(001)表面で徐々に増加する。これはCr原子層とp型Si基板の間の負酸化物が時間と共に成長するからである。その結果,正固定酸化物電荷はCr蒸着p型Si表面の全体の荷電状態を超える。従って,交流表面光起電力が再び現れ,p型Siの固定酸化物電荷と共に徐々に増加する。飽和値はHF水溶液に浸したp型Si表面のそれと良く一致する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： P型半導体 ,  ケイ素 ,  *ウエハ【IC】 ,  メタライゼーション ,  光起電力 ,  *酸化物 ,  *非晶質 ,  *表面電荷 ,  表面光起電力 ,  *シリコンウエハ
準シソーラス用語： *ケイ素ウエハ ,  *非晶質酸化物

分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

引用文献 (30件)：

• 1) H. Shimizu: J. Electrochem. Soc. 144 (1997) 4335.
• 2) R. K. Iler: The Chemistry of Silica (Wiley, New York, 1965)p.88.
• 3) G. Eisenman: J. Biophys. 2 (1962) 259.
• 4) H. Shimizu and C. Munakata: J. Appl. Phys. 73 (1993) 8336.
• 5) H. Shimizu, R. Shin, and M. Ikeda: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) 3778.

タイトルに関連する用語 (12件)： Cr ,  水溶液 ,  洗浄 ,  曝露 ,  P型Si ,  ウエハ ,  交流 ,  表面光起電力 ,  同定 ,  非晶質 ,  酸化物 ,  電荷