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J-GLOBAL ID：201102258723911823   整理番号：11A1249790

サブ15nmハーフピッチの自己集合パターニング 実験室から生産への移行

Self-Assembly Patterning for sub-15nm Half-Pitch: A Transition from Lab to Fab

著者 (11件)： BENCHER Chris (Applied Materials, Inc., CA, USA) ,  SMITH Jeffrey (Applied Materials, Inc., CA, USA) ,  MIAO Liyan (Applied Materials, Inc., CA, USA) ,  CAI Cathy (Applied Materials, Inc., CA, USA) ,  CHEN Yongmei (Applied Materials, Inc., CA, USA) ,  CHENG Joy Y. (IBM Almaden Res. Center, CA, USA) ,  SANDERS Daniel P. (IBM Almaden Res. Center, CA, USA) ,  TJIO Melia (IBM Almaden Res. Center, CA, USA) ,  TRUONG Hoa D. (IBM Almaden Res. Center, CA, USA) ,  HOLMES Steven (IBM Albany Nanotech, NY, USA) ,  HINSBERG William D. (IBM Almaden Res. Center, CA, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7970  ページ： 79700F.1-79700F.9  発行年： 2011年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノテクノロジーパターニングの概念としてブロック共重合体(BCP)の配向性自己集合(DSA)は学術研究者によって10年以上研究,提示,発表されてきた。近年,ハードディスクドライブメーカーは,ナノインプリントリソグラフィーを用いたビットパターン媒体の商業化を開始した。ここでは,12nmハーフピッチ(hp)DSAのラインアンドスペースの300mmウエハへの転写を報告した。欠陥密度試験媒体を,エピタキシャル転位と回位欠陥であるDSA特定欠陥を検出する感度で実現した。この記録プロセスにおいて,ゼロ転位または回位欠陥を観察し,それ故,DSA欠陥の上側信頼限界を<26/cm²に設定した。

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  自己集合 ,  *パターン形成 ,  実験室 ,  生産 ,  ナノテクノロジー ,  ブロック共重合体 ,  磁気ディスク ,  商業化 ,  パターン転写 ,  欠陥密度 ,  エピタクシー ,  転位【結晶】 ,  回位 ,  信頼限界
準シソーラス用語： ナノインプリントリソグラフィー ,  ハードディスク ,  ビットパターン媒体

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： サブ ,  ハーフピッチ ,  自己集合 ,  パターニング ,  実験 ,  移行