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J-GLOBAL ID：201102258789948280   整理番号：11A0912809

トポグラフィーシミュレーションによって校正されるが,マスク選択性とエッチング速度からイオン/ラジカルフラックスの推定

Estimation of Ion/Radical Flux from Mask Selectivity and Etching Rate, Calibrated by Topography Simulation

著者 (7件)： OHMINE Toshimitsu (Nihon Synopsys G.K., Tokyo, JPN) ,  DESPANDE Vaibhav (Synopsys Switzerland LLC, Zurich, CHE) ,  TAKADA Hideki (Nihon Synopsys G.K., Tokyo, JPN) ,  IKEDA Tomoharu (Toyota Motor Corp., Aichi, JPN) ,  SAITO Hirokazu (Toyota Motor Corp., Aichi, JPN) ,  KAWAI Fumiaki (Toyota Motor Corp., Aichi, JPN) ,  HAMADA Kimimori (Toyota Motor Corp., Aichi, JPN)
資料名： Proceedings of International Symposium on Dry Process  (Proceedings of International Symposium on Dry Process)
巻： 32nd  ページ： 165-166  発行年： 2010年 
JST資料番号： Y0378B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *放射線束 ,  *ラジカル ,  *イオンエッチング ,  フッ化硫黄 ,  酸素 ,  ケイ素 ,  二酸化ケイ素 ,  *イオンビーム ,  シミュレーション ,  プラズマエッチング ,  *選択性
準シソーラス用語： イオンフラックス

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： トポグラフィー ,  シミュレーション ,  校正 ,  マスク ,  エッチング速度 ,  イオン ,  推定