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J-GLOBAL ID：201102258822235279   整理番号：11A0190329

a-SiN_xの界面層と電気的性質への熱アニーリングの影響:H/Si

Impact of thermal annealing on interfacial layer and electrical properties of a-SiN_x: H/Si

著者 (5件)： SINGH Sarab Preet (IIT Delhi, New Delhi, IND) ,  PRAKASH G. Vijaya (IIT Delhi, New Delhi, IND) ,  GHOSH S. (IIT Delhi, New Delhi, IND) ,  RAI Sanjay (Raja Ramanna Centre for Advanced Technol., Indore, IND) ,  SRIVASTAVA P. (IIT Delhi, New Delhi, IND)
資料名： EPL  (EPL)
巻： 90  号： 2  ページ： 26002.P1-26002.P6  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： D0701B  ISSN： 0295-5075  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (4件)： 界面層 ,  電気的性質 ,  熱アニーリング ,  Si