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J-GLOBAL ID：201102258994219542   整理番号：11A0941386

(Pr,Mn)共ドープBiFeO₃/Bドープダイヤモンド層状構造の構造特性および電気的特性

Structure and Electrical Properties of (Pr,Mn)-Codoped BiFeO₃/B-Doped Diamond Layered Structure

著者 (8件)： KAWAE Takeshi (Kanazawa Univ., Ishikawa, JPN) ,  HORI Yuji (Kanazawa Univ., Ishikawa, JPN) ,  NAKAJIMA Takashi (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  KAWASAKI Hiroki (Kanazawa Univ., Ishikawa, JPN) ,  TOKUDA Norio (Kanazawa Univ., Ishikawa, JPN) ,  OKAMURA Soichiro (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  TAKANO Yoshihiko (National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  MORIMOTO Akiharu (Kanazawa Univ., Ishikawa, JPN)
資料名： Electrochemical and Solid-State Letters  (Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 14  号： 6  ページ： G31-G34  発行年： 2011年 
JST資料番号： W1290A  ISSN： 1099-0062  CODEN： ESLEF6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ダイヤモンド単結晶(100)面上にマイクロ波プラズマ増強化学蒸気堆積法によりホウ素を蒸着,その上にレーザー法によりPr,Mnを共ドープしたBiFeO₃(BPFM)層を堆積して,半導体薄膜を得た。薄膜作成時に界面で分解は生じなかった。BPFM薄膜はランダム配向した多結晶性である。50Hzで,最大電場1000kVにおける飽和P-Eヒステリシス曲線による残留分極量P_rは60μC/cm²,抗電界E_cは480kV/cmであった。

シソーラス用語： *プラセオジム ,  *マンガン ,  *ホウ素 ,  *ダイヤモンド ,  薄膜 ,  DLC膜 ,  多結晶 ,  分極 ,  電場 ,  原子間力顕微鏡 ,  X線回折 ,  Ramanスペクトル ,  *層状組織 ,  残留分極 ,  抗電場 ,  ドーピング ,  *半導体薄膜
準シソーラス用語： ヒステリシスループ ,  共ドーピング ,  *酸化鉄ビスマス ,  *分極ヒステリシス ,  ホウ素ドープダイヤモンド

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (8件)： Pr ,  Mn ,  ドープ ,  BiFeO3 ,  ダイヤモンド ,  層状構造 ,  構造特性 ,  電気的特性