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J-GLOBAL ID:201102259088657091   整理番号:11A1024739

フェムト秒レーザーパルスを用いた黒シリコンの直接生成

Direct creation of black silicon using femtosecond laser pulses
著者 (2件):
資料名:
巻: 257  号: 16  ページ: 7291-7294  発行年: 2011年06月01日 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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直接フェムト秒レーザー構造化法を用いて,シリコン上に等間隔の平行ナノ構造-集合組織化微小溝の配列を作製した。この配列は処理されたシリコン反射率の急激な減少を引き起こす。処理された領域はすべての視野角でベルベットブラックのように見える。全可視領域で,黒くなった表面の反射率は5%より小さかった。処理した表面の反射防止効果も中間赤外波長領域まで拡がった。さらに,この技法は,テラヘルツ周波数で,そしてミリメートル波長領域でもシリコンの反射率を減少させる可能性をもっている。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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光物性一般 
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