文献

J-GLOBAL ID：201102259427816650   整理番号：11A1779739

水素ガスの全濃度範囲用MEMS水素ガスセンサ

MEMS Hydrogen Gas Sensor for the Entire Concentration Range of Hydrogen Gas

著者 (2件)： KIMURA Mitsuteru (Tohoku Gakuin Univ., Miyagi, JPN) ,  TAKASHIMA Noriaki (Tohoku Gakuin Univ., Miyagi, JPN)
資料名： Sensors and Materials  (Sensors and Materials)
巻： 23  号： 7  ページ： 419-434  発行年： 2011年 
JST資料番号： L0338A  ISSN： 0914-4935  CODEN： SENMER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一つは4%以下の低水素ガス濃度用でもう一つは4%以上の高濃度用の二種類の水素センサを組み合わせた新しい水素ガスセンサを提供した。低濃度用のこの水素ガスセンサはカンチレバ上に形成されたPd膜の発熱反応に基づいており基本的に室温で働き,高濃度用は水素ガスの高熱伝導性を用いた熱伝導型センサとして約150°Cに加熱する時作動する。検知部分としてカンチレバを有するこの水素ガスセンサはマイクロ電気機械システム(MEMS)技術とシリコンオンインシュレータ(SOI)基板を用いて作製された。ニクロム(NiCr)微小ヒーターと十分ドープされたn-型不純物のSOI層とカンチレバ上で形成されたNi膜層と二つのエリア,即ちPd膜を有する検知部分(部位B_S)とPd膜を除いた参照部分(部位B_R),から構成された三つの薄膜熱電対がそのカンチレバのチップの傍に同じサイズで作られた。この提案された水素ガスセンサは0.1から100%の非常に広い範囲で約10s内に水素濃度を測ることが出来ることを証明した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *気体 ,  *水素 ,  *MEMS ,  *ガスセンサ ,  片持梁 ,  パラジウム ,  金属薄膜 ,  熱特性 ,  半導体プロセス ,  ニクロム ,  ニッケル ,  熱電対 ,  *濃度 ,  *水素ガス ,  *水素濃度 ,  熱伝導性
準シソーラス用語： SOI

分類 (1件)： 分析機器  (CC02020S)

引用文献 (8件)：

• 1 W. Shin, K. Tajima, Y. Choi, N. Izu, I. Matsubara and N. Murayama: Sens. Actuators, B 108 (2005) 455.
• 2 L. F. Houlet, W. Shin, K. Tajima, M. Nishibori, N. Izu, T. Itoh and I. Matsubara: Sens. Actuators, B 130 (2008) 200.
• 3 I. Eisele, T. Doll and M. Burgmair: Sens. Actuators, B 78 (2001) 19.
• 4 K. Yokosawa, S. Nakano, Y. Goto and K. Tsukada: Sensor Symposium 2005 (IEEJ, Tokyo, 2005) p. 435.
• 5 K. Yokosawa, K. Saitoh, S. Nakano, Y. Goto and K. Tsukada: Sens. Actuators, B 130 (2008) 94.

タイトルに関連する用語 (3件)： 水素ガス ,  濃度範囲 ,  MEMS