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J-GLOBAL ID：201102261480503668   整理番号：11A1249935

ネガ型トーンプロセスによるレジストポリマ分子系線端構造のメソスケールシミュレーション

Meso-scale simulation of the line-edge structure based on resist polymer molecules by negative-tone process

著者 (1件)： MORITA Hiroshi (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7972  号： Pt.1  ページ： 79720W.1-79720W.7  発行年： 2011年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： メソスケールシミュレーションを用いて,ネガ型トーンプロセスにより形成した線端構造について調べた。ポジ型トーンプロセスの以前の散逸性粒子動力学(DPD)方法に基づく,ネガ型トーンリソグラフィプロセスのシミュレーションモデルを提案した。ネガ型トーンプロセスでは,架橋反応が,高収縮を得るための最重要工程の一つであり,シミュレーションではその反応を制御する必要があることを示した。一連のシミュレーションから,可溶性ポリマ層が不溶解性ポリマ層上に広がり,その粗さが架橋ポリマと短ポリマ層間界面幅に強く依存する層構造モデルにおいてそのLERを観測できることを示した。その可溶性と不溶解性層間の非常に急峻で均一な界面の理想条件では,線端粗さ(LER)が最小化された。これにより,線端での粗さを制御するには,架橋反応の制御が非常に重要である。そのシミュレーションモデルを用いて,LER問題を検討可能であり,将来,レジスト材料とプロセスの設計にそのシミュレーションを使用できると考える。

シソーラス用語： 中規模 ,  *シミュレーションモデル ,  *表面粗さ ,  *動力学 ,  高分子鎖 ,  *回路パターン形成 ,  高分解能 ,  ピッチ【機械要素】 ,  露光 ,  架橋【高分子】 ,  *レジスト ,  *散逸 ,  *粒子
準シソーラス用語： LER ,  ネガティブレジスト ,  メゾスケール ,  散逸粒子動力学

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： ネガ ,  トーン ,  プロセス ,  レジスト ,  ポリマ ,  分子系