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J-GLOBAL ID：201102263178279808   整理番号：11A0980881

ジボランによるシランプラズマ化学蒸着の加速機構のab initio分子軌道研究

Ab Initio Molecular Orbital Study on Acceleration Mechanism of Silane Plasma Chemical Vapor Deposition by Diborane

著者 (2件)： SATO Kota (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  KUBOTA Yasuyo (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 4  号： 5  ページ： 056202.1-056202.2  発行年： 2011年05月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ジボランによるシランプラズマ化学蒸着の加速機構を,ab initio分子軌道計算に基づいて提唱した。BH₂による成長表面からの水素引抜は,運動学と熱力学の視点からSiH₃によるものよりも有利であると計算された。従って,BH₂の濃度はSiH₃の濃度よりもかなり低いものの,BH₂による引抜は頻繁に起きると予測される。この過程は成長表面にダングリングボンドを創り,蒸着速度が増す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ジボラン ,  シラン ,  *プラズマCVD ,  ab initio法 ,  *分子軌道 ,  *ダングリングボンド ,  薄膜成長

分類 (1件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

引用文献 (16件)：

• SPEAR, W. E. Solid State Commun. 1975, 17, 1193
• PERRIN, J. Surf. Sci. 1989, 210, 114
• SATO, K. Phys. Rev. B. 1992, 46, 1913
• SATO, K. Phys. Rev. B. 1994, 50, 2675
• NAKAJIMA, K. J. Appl. Phys. 1998, 84, 606

タイトルに関連する用語 (6件)： ジボラン ,  シラン ,  プラズマ化学蒸着 ,  加速 ,  分子軌道 ,  研究