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J-GLOBAL ID：201102263813538980   整理番号：11A0162371

アイソレーションガードリングを備えたSiGeを基本とするHBTに及ぼす陽子照射の効果

Effects of proton irradiation on SiGe HBTs implemented with isolation guard rings

著者 (4件)： JIANG Ningyue (Univ. Wisconsin, WI, USA) ,  JIANG Ningyue (Avago Technol., CA, USA) ,  CHO Namki (Univ. Wisconsin, WI, USA) ,  MA Zhenqiang (Univ. Wisconsin, WI, USA)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 25  号： 12  ページ： 125007,1-6  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siに基づくHBTにおいて,ガードリングを実装することによって,陽子の照射された素子に関する逆モードGummelプロットから得られたエミッタ電流の大幅な増大が確認された。この結果は,SiGe-HBTにおけるこれまでの放射線耐性の研究においては観測されたことがない。詳細な測定とSiGe-HBTに関する素子のモデル化から,逆Gummelプロットにおけるエミッタ電流の増大は,SiGe-HBTに関係する寄生的な埋め込み層-基板(BL-S)接合型ダイオードの劣化に起因することが分かった。更に,寄生的なダイオードの劣化に関する物理的な起源を明らかにすることができた。深いトレンチエッジ近傍におけるBL-S接合の放射線損傷が,観測される放射線耐性の劣化の原因であることが分かった。

シソーラス用語： *HBT【トランジスタ】 ,  *ケイ化物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  *陽子照射 ,  リング ,  固体回路部品 ,  アイソレーション【IC】 ,  耐放射線性 ,  エミッタ【半導体】 ,  電流 ,  溝 ,  端部 ,  *照射損傷 ,  劣化
準シソーラス用語： *ケイ化ゲルマニウム ,  ガードリング ,  Gummelプロット ,  寄生素子

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： SiGe ,  HBT ,  陽子照射