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J-GLOBAL ID：201102264753826707   整理番号：11A1180096

600V級トレンチ充填超接合パワーMOSFETへの垂直電荷不平衡効果

Vertical Charge Imbalance Effect on 600V-class Trench-Filling Superjunction Power MOSFETs

著者 (9件)： TAMAKI T. (Renesas Electronics Corp., Takasaki, JPN) ,  NAKAZAWA Y. (Renesas Electronics Corp., Takasaki, JPN) ,  KANAI H. (Renesas Electronics Corp., Takasaki, JPN) ,  ABIKO Y. (Renesas Electronics Corp., Takasaki, JPN) ,  IKEGAMI Y. (Renesas Electronics Corp., Takasaki, JPN) ,  ISHIKAWA M. (Renesas Electronics Corp., Takasaki, JPN) ,  WAKIMOTO E. (Renesas Electronics Corp., Takasaki, JPN) ,  YASUDA T. (Renesas Electronics Corp., Takasaki, JPN) ,  EGUCHI S. (Renesas Electronics Corp., Takasaki, JPN)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 23rd  ページ： 308-311  発行年： 2011年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 解析と数値方法および実験により,トレンチ充填プロセスにより作製した600V級超接合(SJ)パワーMOSFETについて調べた。テーパ形側壁トレンチと傾斜p柱プロファイルを有するSJ構造の解析モデリングについて述べ,数値シミュレーションと実験結果と比較した。テーパ形トレンチと傾斜p柱プロファイルは,電荷不平衡(C.I.)率に対する破壊マージンは増したのに,破壊電圧を劣化させた。セルピッチを縮小し,正確な電荷平衡制御により最適化したプロセス条件を用いることにより,素子性能とプロセスマージン間の良好な均衡を高水準で得た。作製したSJ-MOSFET素子の破壊電圧,オン比抵抗とゲート-ドレイン間電荷(Q_gd)は各々,736V,16.4mΩcm²と6nCを得た。このオン比抵抗とゲート-ドレイン間電荷性能は,以前報告された600V級SJ MOSFET中最良性能であった。

シソーラス用語： *電荷 ,  縦型 ,  *トレンチカット【加工】 ,  *電力トランジスタ ,  *MOSFET ,  半導体接合 ,  *絶縁破壊 ,  オン抵抗 ,  ゲート【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  スイッチング素子 ,  数値解析 ,  シミュレーション ,  *側壁 ,  電位分布 ,  電界強度 ,  解析モデル
準シソーラス用語： 超接合

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： トレンチ ,  超接合 ,  パワーMOSFET ,  垂直 ,  電荷 ,  不平衡