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J-GLOBAL ID:201102264795741620   整理番号:11A1473964

アルキル置換ペリレンジイミド類を用いたn型薄膜トランジスタ

著者 (1件):
資料名:
巻: 11  号:ページ: 26-31  発行年: 2011年09月10日 
JST資料番号: L4328A  ISSN: 1346-0986  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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アルキル置換ペリレンジイミド誘導体のn型有機トランジスタ特性について検討した。炭素数が13のトリデシル基で置換した場合,薄膜を熱処理することで,最大で電子移動度2.1cm2/Vsが得られた。熱処理によって薄膜のモルフォロジーが大きく変化し,薄膜面内のキャリア輸送に有利なc軸配向した大きな結晶グレインからなる膜となることが,高電子移動度の原因と考えられた。アルキル鎖の炭素数依存性の検討から,偶奇効果がみられること,アルキル鎖に由来する分子間相互作用が分子のモルフォロジー変化を与える分子易動性に影響を与えていることが示唆された。(著者抄録)
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分類 (3件):
分類
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トランジスタ  ,  有機化合物の薄膜  ,  窒素複素環化合物一般 
タイトルに関連する用語 (3件):
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