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J-GLOBAL ID：201102265196778814   整理番号：11A1130260

高屈折率基板上のGaAs/AlAs結合多層共振器構造における効率的光周波数変換に基づく新しいテラヘルツ波放射素子

Novel terahertz emission devices based on efficient optical frequency conversion in GaAs/AIAs coupled multilayer cavity structures on high-index substrates

著者 (5件)： KITADA Takahiro (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  TANAKA Fumiya (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  TAKAHASHI Tomoya (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  MORITA Ken (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  ISU Toshiro (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7937  ページ： 79371H.1-79371H.6  発行年： 2011年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しいテラヘルツ(TH~)波光に応用できるGaAs/AlAs結合多層共振器構造を示した。二共振器層を中間の分布Bragg反射器多層膜により結合し,THz領域で光周波数の異なる二共振器モードを実現した。スペクトルの広い超短レーザパルスを用いて二共振器モードの同時励起により結合共振器構造の光学的性質を調べた。(113)B結合多層共振器中で非常に強い和周波数発生を観測した。この強いテラヘルツ差周波数発生を得るためには,適当な偏光制御が必要であることを示した。

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,  ヒ化アルミニウム ,  半導体材料 ,  *化合物半導体 ,  *光共振器 ,  *電磁波 ,  電磁波放射 ,  反射器 ,  多層膜 ,  レーザ励起 ,  レーザパルス ,  偏光 ,  屈折率 ,  和周波数発生 ,  周波数変換 ,  *テラヘルツ波
準シソーラス用語： 分布Bragg反射器

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高屈折率 ,  GaAs ,  AlAs ,  多層 ,  共振器 ,  光周波数変換 ,  テラヘルツ波 ,  放射素子