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J-GLOBAL ID：201102266490007008   整理番号：11A1040386

熱活性化酸化物半導体によるクロロ系揮発性有機化合物の完全除去

Complete Removal of Chloro-Based Volatile Organic Compounds by Thermally Activated Oxide Semiconductors

著者 (3件)： HIRAMATSU Hirotaka (Dep. of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Yokohama National Univ.) ,  SHIMA Hideki (Dep. of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Yokohama National Univ.) ,  MIZUGUCHI Jin (Dep. of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Yokohama National Univ.)
資料名： Materials Transactions  (Materials Transactions)
巻： 52  号： 6  ページ： 1281-1287 (J-STAGE)  発行年： 2011年 
JST資料番号： G0668A  ISSN： 1345-9678  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： クロロ系揮発性有機化合物(VOC)は,環境に悪影響を及ぼす事で知られ,その触媒燃焼による破壊は,例えば触媒を損傷する塩酸(HCl)製造に順応して起こる。著者等は,熱活性化酸化物半導体,すなわちCr₂O₃,TiO₂,NiO,α-Fe₂O₃等の触媒を用いて,試作した装置でVOCの完全除去を検討した。本研究では,著者等はHCl生成温度を探るために質量スペクトル及びRamanスペクトルを用いてジクロロメタン(CH₂Cl₂:DCM)及びトリクロロエチレン(CHCCl₃:TCE)の分解プロセスを基本的に検討した。その結果,DCM及びTCEの分解開始温度が各々約100及び200°Cである事を発見し,一方両方の化合物で共通して約350°Cの臨界温度でHClが突然生成する事も明らかにした。本結果に基づいて,Cr₂O₃-含浸ハニカム装置の運転温度を300°C以下の最適温度に保ち,HClが生じないDCM及びTCEの完全除去を実現した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *揮発性有機化合物 ,  化合物半導体 ,  除去 ,  触媒燃焼 ,  酸化クロム ,  酸化チタン ,  酸化ニッケル ,  酸化鉄 ,  塩酸 ,  触媒 ,  活性化 ,  熱影響 ,  脂肪族塩素化合物 ,  オレフィン化合物
準シソーラス用語： 酸化物半導体 ,  熱活性化

分類 (1件)： その他の汚染原因物質  (SB05040W)

物質索引 (2件)： ジクロロメタン ,  トリクロロエチレン

引用文献 (25件)：

• 1) N. Bunce: Environmental Chemistry, (Wuerz Publishing Ltd., Winnipeg, 1991).
• 2) M. Maritino, R. Rosal, H. Sastre and F. V. Diez: Appl. Cataly. B: Enviromental 20 (1999) 301–307.
• 3) K. Urashima and J. Chang: IEEE Trans. Dielectr. Electri. Insulat. 7 (2000) 602–614.
• 4) P. Forzatti and L. Lietti: Cataly. Today 52 (1999) 165–181.
• 5) M. V. Twigg and M. S. Spencer: Appl. Cataly. A General 212 (2001) 161–174.

タイトルに関連する用語 (3件)： 熱活性化 ,  酸化物半導体 ,  揮発性有機化合物