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J-GLOBAL ID：201102267045593408   整理番号：11A0122870

トンネル注入In_0.25Ga_0.75N/GaN量子ドット発光ダイオード

Tunnel injection In_0.25Ga_0.75N/GaN quantum dot light-emitting diodes

著者 (3件)： BHATTACHARYA Pallab (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Center for Nanoscale Photonics and Spintronics, Univ. of Michigan ...) ,  ZHANG Meng (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Center for Nanoscale Photonics and Spintronics, Univ. of Michigan ...) ,  HINCKLEY John (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Center for Nanoscale Photonics and Spintronics, Univ. of Michigan ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 25  ページ： 251107  発行年： 2010年12月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： λ≒500nmに発光ピークを持つIn_0.25Ga_0.75N/GaN量子ドット発光ダイオードの設計に正孔トンネル注入を取入れた。活性領域の全ての五量子ドット層中へ冷正孔が均一に注入されることを計算で示した。種々の厚みt_effのIn_0.43Al_0.57N正孔トンネル障壁を持つ素子について測定した。t_eff=1.5nmの素子が最良の性能を示した。最大外部量子効率は220A/cm²において0.66%で,360A/cm²における20%の効率低下はAuger再結合の減少とホットキャリアの漏れに起因すると暫定的に考えた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *量子ドット ,  *発光ダイオード ,  インジウム化合物 ,  窒化ガリウム ,  半導体材料 ,  キャリア注入 ,  *量子効率 ,  ポテンシャル障壁
準シソーラス用語： 外部量子効率 ,  トンネル障壁

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： トンネル ,  注入 ,  GaN ,  量子ドット ,  発光ダイオード