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J-GLOBAL ID：201102268904198059   整理番号：11A1223863

高温でアニールしたp型のAl注入4H-SiC上に形成した合金化Ti/Al/Ohm接触の構造及び輸送特性

Structural and transport properties in alloyed Ti/Al Ohmic contacts formed on p-type Al-implanted 4H-SiC annealed at high temperature

著者 (6件)： FRAZZETTO A (Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, Consiglio Nazionale delle Ricerche, IMM, CNR, Catania, ITA) ,  FRAZZETTO A (Universita degli Studi di Catania, Catania, ITA) ,  GIANNAZZO F (Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, Consiglio Nazionale delle Ricerche, IMM, CNR, Catania, ITA) ,  LO NIGRO R (Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, Consiglio Nazionale delle Ricerche, IMM, CNR, Catania, ITA) ,  RAINERI V (Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, Consiglio Nazionale delle Ricerche, IMM, CNR, Catania, ITA) ,  ROCCAFORTE F (Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, Consiglio Nazionale delle Ricerche, IMM, CNR, Catania, ITA)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 44  号： 25  ページ： 255302,1-9  発行年： 2011年06月29日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p型のAl注入4H-SiC上に形成した合金化Ti/Al/Ohm接触の輸送特性を調べた。1700°Cのアニーリング中,p型4H-SiCの形態はキャッピング層を使って制御した。様々な形態条件がシート抵抗や移動度など注入SiCの電気特性には影響しないことが分った。形態が改善されるとより平坦なTi/Al表面ができ,比接触抵抗が低くなった。この接触の比接触抵抗の温度依存性から,金属/SiC界面を通る主要な輸送機構は熱電子放出であり,障壁高さが0.51から0.46eVへ低下するのはOhm特性が改善されたためと分った。透過型電子顕微鏡観察により,金属/SiC界面の横方向に不均一なミクロ構造が存在することを示した。障壁高さの低下は界面領域の様々なミクロ構造と相関していると考えられる。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  ポリタイプ ,  チタン ,  アルミニウム ,  イオン注入 ,  P型半導体 ,  *Ohm接触 ,  熱処理 ,  電気抵抗 ,  キャリア移動度 ,  接触抵抗 ,  熱電子放出 ,  ポテンシャル障壁 ,  表面性状 ,  シート抵抗 ,  半導体金属接合

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (8件)： アニール ,  Al ,  注入 ,  4H-SiC ,  合金化 ,  Ti ,  Ohm接触 ,  輸送特性