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J-GLOBAL ID：201102269088631497   整理番号：11A1513783

塩素・臭素プラズマによるSiエッチングの古典的分子動力学シミュレーション ビーム入射,ビーム+ラジカル入射から,形状進展まで

Classical Molecular Dynamics Simulation of Plasma-Surface Interactions during Si Etching in Chlorine- and Bromine-based Plasmas: Beam Injection, Beam plus Radical Injection, and Feature Profile Evolution

著者 (6件)： TANIUGCHI Ken (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NAGAOKA Tatsuya (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  TSUDA Hirotaka (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  TAKAO Yoshinori (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  ERIGUCHI Koji (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  ONO Kouichi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： プラズマプロセシング研究会プロシーディングス(CD-ROM)  (プラズマプロセシング研究会(CD-ROM))
巻： 27th  ページ： ROMBUNNO.A2-02  発行年： 2010年 
JST資料番号： L4449B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *プラズマエッチング ,  プラズマ相互作用 ,  *ケイ素 ,  計算機シミュレーション ,  原子間ポテンシャル ,  ビーム入射 ,  塩素 ,  臭素
準シソーラス用語： 分子動力学シミュレーション

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (9件)： 塩素 ,  臭素 ,  プラズマ ,  Siエッチング ,  分子動力学シミュレーション ,  ビーム入射 ,  ビーム ,  ラジカル ,  進展