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J-GLOBAL ID：201102269225385229   整理番号：11A1159948

多重個別トラップのRTN測定によるトラップ位置,エネルギー,振幅及び時定数の統計的キャラクタリゼーション

Statistical Characterization of Trap Position, Energy, Amplitude and Time Constants by RTN Measurement of Multiple Individual Traps

著者 (4件)： NAGUMO Toshiharu (Renesas Electronics Corp., Kanagawa, JPN) ,  TAKEUCHI Kiyoshi (Renesas Electronics Corp., Kanagawa, JPN) ,  HASE Takashi (Renesas Electronics Corp., Kanagawa, JPN) ,  HAYASHI Yoshihiro (Renesas Electronics Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2010  ページ： 628-631  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トラップ位置,エネルギー,捕獲/放出時定数,ランダムテレグラフノイズ(RTN)振幅の分布,及びそれら特性間の相関を,RTN測定に基づいた個別トラップの直截的なキャラクタリゼーションにより調べた。RTNトラップエネルギー分布が非一様であり,欠陥バンドが,N及びPFETに存在することが分かった。RTN時定数の分布は,トラップ位置及び他のRTN特性と相関をもたなかった。このことは,先端FETにおける時定数が,弾性トンネリング過程により支配されていないことを強く示した。

シソーラス用語： *電波雑音 ,  *不規則雑音 ,  *雑音測定 ,  キャリア捕獲 ,  *CMOS構造 ,  相互コンダクタンス ,  スケーリング【計数】 ,  電圧変動 ,  ドーパント ,  信頼性 ,  SRAM ,  回路設計 ,  エネルギー分布
準シソーラス用語： 閾値電圧

分類 (2件)： 雑音測定  (ND04030F) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 多重 ,  トラップ ,  エネルギー ,  振幅 ,  時定数 ,  統計 ,  キャラクタリゼーション