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J-GLOBAL ID：201102269685705892   整理番号：11A0401218

TaN-HfO₂-InP MOSFETの特性に関するSF₆プラズマ処理のインパクト

Impact of SF₆ plasma treatment on performance of TaN-HfO₂-InP metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

著者 (6件)： WANG Yanzhen (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Microelectronics Res. Center, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...) ,  CHEN Yen-ting (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Microelectronics Res. Center, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...) ,  ZHAO Han (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Microelectronics Res. Center, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...) ,  XUE Fei (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Microelectronics Res. Center, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...) ,  ZHOU Fei (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Microelectronics Res. Center, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...) ,  LEE Jack C. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Microelectronics Res. Center, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 98  号： 4  ページ： 043506  発行年： 2011年01月24日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InP MOSFETの特性に関するSF₆プラズマ処理による実験インパクトが報告される。SとFがポストゲートSF₆プラズマ処理によって堆積したHfO₂原子層に組み込まれる。サブしきい値の揺れとバルク漏洩(Ig)の減少,有効チャネル移動度(μ_eff)の増加が,より良い境界とバルク酸化品質がより強いHf-F結合を形成するSF₆プラズマ処理によって達成される事を示す。駆動電流(Id),相互コンダクタンス(Gm)と有効チャネル移動度(μ_eff)が,制御デバイスと比較して,各々22.3%,35%,35%まで改善された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  リン化インジウム ,  *キャリア移動度 ,  CMOS構造 ,  化学蒸着 ,  誘電体薄膜 ,  誘電率 ,  酸化ハフニウム ,  *プラズマ処理 ,  電流 ,  相互コンダクタンス
準シソーラス用語： CMOSFET ,  原子層堆積 ,  駆動電流

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： MOSFET ,  SF6 ,  プラズマ処理 ,  インパクト