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J-GLOBAL ID：201102270087497639   整理番号：11A1159829

サブnW消費電力を有する共振基板FinFET

Resonant-Body Fin-FETs with sub-nW power consumption

著者 (6件)： BARTSCH Sebastian T. (Ecole Polytechnique Federal de Lausanne(EPFL), Lausanne, CHE) ,  GROGG Daniel (Ecole Polytechnique Federal de Lausanne(EPFL), Lausanne, CHE) ,  LOVERA Andrea (Ecole Polytechnique Federal de Lausanne(EPFL), Lausanne, CHE) ,  TSAMADOS Dimitrios (Ecole Polytechnique Federal de Lausanne(EPFL), Lausanne, CHE) ,  AYOEZ Suat (Ecole Polytechnique Federal de Lausanne(EPFL), Lausanne, CHE) ,  IONESCU Adrian M. (Ecole Polytechnique Federal de Lausanne(EPFL), Lausanne, CHE)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2010  ページ： 174-177  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 消費電力と利得間の独特なトレードオフを可能にする,弱反転から強反転まで動作する2独立横形ゲートをもつ共振基板FinFET(RB-FinFET)の実験結果について初めて述べた。ミキサー方法を用いて,サブしきい値領域でのRB-FinFETの動作を実現し,300pWの小DC電力レベルを得ることができる可能性を示した。超小型共振器専用のミキサー測定方法を用いて,3000オーダの性質係数(Q)と数10kΩの運動抵抗で25~80MHzの共振周波数を示した。この共振器の消費電力は,RB-FinFETの弱反転領域で1nW以下に削減することができた。これにより,超低電力素子をオンチップ集積回路とインタフェースするための新設計窓を開き,大規模ナノ電子機械(NEM)素子集積化に向けた大きな第一歩となった。

シソーラス用語： *消費電力 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *共振器 ,  利得 ,  共振周波数 ,  CMOS構造 ,  無線伝送 ,  静特性 ,  電流電圧特性 ,  相互コンダクタンス ,  伝送特性
準シソーラス用語： FinFET ,  超小型共振器

分類 (2件)： 共振器  (NC04050Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： サブ ,  消費電力 ,  共振 ,  FinFET