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J-GLOBAL ID：201102270303755532   整理番号：11A1159807

パーコレーションと進行性破壊を含むゲート誘電積層の破壊統計のモデリング

Modeling the breakdown statistics of gate dielectric stacks including percolation and progressive breakdown

著者 (3件)： SUNE J. (Universitat Autonoma de Barcelona, Bellaterra, ESP) ,  WU E.Y. (IBM, VT, USA) ,  TOUS S. (Universitat Autonoma de Barcelona, Bellaterra, ESP)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2010  ページ： 86-89  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 実験により,high-κ(高誘電率)(HK)/界面層(IL)誘電積層は,パーコレーション(浸透)効果と進行性破壊(PBD)効果により影響されることを示した。この積層の不良分布モデルを開発するため,最初に誘電積層のセルベースパーコレーション理論を再公式化した。次に,HK/IL積層のBDを一層(通常IL)中パーコレーション経路の形成とその後の他層(通常HK)中局所伝搬として理解することができ,この過程はPBDに非常に類似することを示した。この解釈に基づき,局所相関関係の影響について調べた。さらに,HK経路形成との類似性により,PBD相をパーコレーションモデルに導入した。この方法の有効性を検証するため,PBDを生じた単層誘電層の場合について考察し,以前の結果と比較した。競合する複数のBD事象の存在下における実験不良データ処理にそのモデルを適用することに成功した。最後に,実用的技術認定手法に用いる簡単化4パラメータモデルを提案した。HK/IL積層のBD分布が多層絶縁層構造により複雑化した場合についても,信頼性評価手法は,PBDを示す単層誘電層の場合に用いる手法と必ず非常に類似している。

シソーラス用語： *パーコレーション ,  *進行性破壊 ,  *ゲート【半導体】 ,  積層構造 ,  *絶縁破壊 ,  絶縁膜 ,  二酸化ケイ素 ,  誘電率 ,  Weibull分布 ,  モンテカルロ法 ,  シミュレーション ,  故障率 ,  *積層欠陥 ,  モデリング ,  信頼性 ,  ゲート絶縁膜

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： パーコレーション ,  進行性破壊 ,  ゲート ,  破壊 ,  統計 ,  モデリング