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J-GLOBAL ID:201102270733187627   整理番号:11A1130864

薄膜抵抗型水素センサの開発

Development of thin film resistance type Hydrogen sensor
著者 (4件):
資料名:
巻: MSS-11  号: 1-7.9-12.14-21  ページ: 55-58  発行年: 2011年07月01日 
JST資料番号: L2898B  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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近年,水素がクリーンエネルギー資源として注目されている。ただし,空気中では4%を超える水素濃度になると誘爆の危険がある。しかも水素は容器から漏れやすい。本報告では白金(Pt)の電気抵抗変化を利用する水素センサについて研究した。この水素濃度センサはPt膜の厚みを薄くすれば抵抗変化,すなわち,感度が増大する。温度を変えてもこの温度の変化率はほぼ不変である。しかも,ブリッジ回路を構成すれば抵抗の変化を電圧変化量として読み取れる。検出感度に再現性も確認された。
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分類 (1件):
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化学プロセスの測定,監視,計装 
引用文献 (4件):
タイトルに関連する用語 (3件):
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