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J-GLOBAL ID：201102271343052344   整理番号：11A0474119

低電流の集束電子線誘起堆積法によって成長した高純度コバルトナノ構造

High-purity cobalt nanostructures grown by focused-electron-beam-induced deposition at low current

著者 (4件)： CORDOBA R. (Universidad de Zaragoza, Zaragoza, ESP) ,  SESE J. (Universidad de Zaragoza, Zaragoza, ESP) ,  IBARRA M.R. (Universidad de Zaragoza, Zaragoza, ESP) ,  DE TERESA J.M. (Universidad de Zaragoza, Zaragoza, ESP)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 87  号： 5-8  ページ： 1550-1553  発行年： 2010年05月 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： 集束 ,  電子線誘起堆積法 ,  成長 ,  高純度 ,  コバルト ,  ナノ構造