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J-GLOBAL ID：201102271505236207   整理番号：11A0878715

パターン依存酸化により形成したSi SETのトンネルポテンシャル構造の解析

Analysis of Tunneling Potential Structure of Si SETs Formed by Pattern-Dependent Oxidation

著者 (8件)： KATO Yuki (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  JO Mingyu (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  ARITA Masashi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  FUJIWARA Akira (NTT Corp., Atsugi, JPN) ,  ONO Yukinori (NTT Corp., Atsugi, JPN) ,  NISHIGUCHI Katsuhiko (NTT Corp., Atsugi, JPN) ,  INOKAWA Hiroshi (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  TAKAHASHI Yasuo (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： Proceedings of the International Symposium on Advanced Fluid Information and Transdisciplinary Fluid Integration  (Proceedings of the International Symposium on Advanced Fluid Information and Transdisciplinary Fluid Integration)
巻： 10th  ページ： 124-125  発行年： 2010年 
JST資料番号： L3687A  ISSN： 1344-2236  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *酸化 ,  *過渡現象 ,  *トランジスタ ,  *トンネル効果
準シソーラス用語： *SET【シングルイベント】

分類 (1件)： 集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (6件)： 酸化 ,  Si ,  SET ,  トンネル ,  ポテンシャル ,  解析