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J-GLOBAL ID：201102271528069952   整理番号：11A1703359

GaN膜におけるGa空孔誘起室温強磁性挙動の実験的証拠

Experimental evidence of Ga-vacancy induced room temperature ferromagnetic behavior in GaN films

著者 (8件)： ROUL Basanta (Materials Res. Centre, Indian Inst. of Sci., Bangalore 560012, IND) ,  RAJPALKE Mohana K. (Materials Res. Centre, Indian Inst. of Sci., Bangalore 560012, IND) ,  BHAT Thirumaleshwara N. (Materials Res. Centre, Indian Inst. of Sci., Bangalore 560012, IND) ,  KUMAR Mahesh (Materials Res. Centre, Indian Inst. of Sci., Bangalore 560012, IND) ,  KALGHATGI A. T. (Central Res. Lab., Bharat Electronics, Bangalore 560013, IND) ,  KRUPANIDHI S. B. (Materials Res. Centre, Indian Inst. of Sci., Bangalore 560012, IND) ,  KUMAR Nitesh (Chemistry and Physics of Materials Unit, Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Res., Jakkur P. O. ...) ,  SUNDARESAN A. (Chemistry and Physics of Materials Unit, Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Res., Jakkur P. O. ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 99  号： 16  ページ： 162512  発行年： 2011年10月17日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,プラズマ支援分子線エピタキシーにより,(0001)サファイア基板上にGa欠損GaNエピタキシャル膜を作製した。そして,室温強磁性挙動の実験的証拠について報告した。室温光ルミネセンススペクトルで観測した黄色発光ピーク,およびRamanスペクトルで300cm^-1に位置するピークによって,Ga空孔の存在を確認した。X線光電子分光測定により,N/Ga>1が分かったので,Ga空孔の形成をさらに確認した。強磁性は,Ga空孔を取り囲むNの不対2p電子の分極に起因するとした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 強磁性体 ,  *強磁性 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒素化合物 ,  化合物半導体 ,  層 ,  プラズマ処理 ,  MBE成長 ,  磁性半導体 ,  ガリウム ,  空格子点 ,  非化学量論 ,  光ルミネセンス ,  Ramanスペクトル ,  X線光電子スペクトル ,  不対電子 ,  スピン分極 ,  スピントロニクス ,  曲線
準シソーラス用語： プラズマプロセシング ,  ワイドバンドギャップ半導体 ,  磁化曲線 ,  磁性エピタキシャル層 ,  *室温強磁性 ,  半磁性半導体 ,  半導体エピタキシャル層

分類 (1件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaN ,  Ga ,  空孔 ,  誘起 ,  室温強磁性 ,  挙動 ,  実験 ,  証拠