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J-GLOBAL ID:201102272126522002   整理番号:11A1208714

Gaを添加したCoSb3基スクッテルダイトの熱電特性

Thermoelectric properties of Ga-added CoSb3 based skutterudites
著者 (7件):
資料名:
巻: 110  号:ページ: 013521  発行年: 2011年07月01日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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充填スクッテルダイト化合物は良好な熱電(TE)材料として知られている。CoSb3のようなスクッテルダイト化合物の構造におけるボイドは様々な異なる原子で充填,あるいは部分的に充填され,そのため得られる充填スクッテルダイト化合物は極めて低い熱伝導率(κ)を見せる。本研究ではCoSb3のボイドをGaで充填することを試みた。GaxCo4Sb12)(x=0.05,0.10,0.15,0.20,0.25,及び0.30)の多結晶試料を調製し,室温から750KでTE特性を調べた。すべての試料が2相からできている。主相がGaxCo4Sb12(x=~0.02),Ga金属が2次相になる。すべての試料が負のSeebeck係数(S)を見せた。Hallキャリア濃度はx上昇と共に高くなり,キャリア移動度は低下した。最大のGa充填比は実際に低いが,κはGa添加によって効率良く低下した。無次元性能指数ZT(=S2T/ρ/κ,Tは絶対温度,ρは電気抵抗率)の最大値は,Ga0.25Co4Sb12に対して500Kで0.18であった。(翻訳著者抄録)
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その他の無機化合物の電気伝導 
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