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J-GLOBAL ID：201102273523779725   整理番号：11A0595143

Al₂O₃超薄膜の絶縁破壊の電流計測原子間力顕微鏡による研究

Conductive atomic force microscopy studies on dielectric breakdown behavior of ultrathin Al₂O₃ films

著者 (6件)： GANESAN K. (Surface and Nanoscience Div., Materials Sci. Group, Indira Gandhi Centre for Atomic Res., Kalpakkam, Tamil Nadu ...) ,  ILANGO S. (Surface and Nanoscience Div., Materials Sci. Group, Indira Gandhi Centre for Atomic Res., Kalpakkam, Tamil Nadu ...) ,  MARIYAPPAN S. (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., South Dakota State Univ., Brookings, South Dakota 57007, USA) ,  BAROUGHI M. Farrokh (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., South Dakota State Univ., Brookings, South Dakota 57007, USA) ,  KAMRUDDIN M. (Surface and Nanoscience Div., Materials Sci. Group, Indira Gandhi Centre for Atomic Res., Kalpakkam, Tamil Nadu ...) ,  TYAGI A. K. (Surface and Nanoscience Div., Materials Sci. Group, Indira Gandhi Centre for Atomic Res., Kalpakkam, Tamil Nadu ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 98  号： 9  ページ： 092902  発行年： 2011年02月28日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層蒸着で作製したAl₂O₃超薄膜を電流計測原子間力顕微鏡法により局所電気応力解析を行った。極度に薄い膜での漏洩電流による局所的な絶縁完全性の喪失を走査型広がり抵抗イメージングにより調べた。実験結果では,繰り返し電圧応力が漏洩スポット数を次第に増加させることを示していた。漏洩スポット密度が酸化物薄膜への高い印加バイアスと共に増加するのに対し,漏洩スポットの初期増加と減少が厚膜で観測された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 誘電体薄膜 ,  *アルミナ ,  酸化物 ,  薄膜 ,  超薄膜 ,  *絶縁破壊 ,  応力 ,  電圧 ,  *漏れ電流 ,  電気絶縁 ,  酸化膜 ,  ゲート【半導体】 ,  広がり抵抗 ,  顕微鏡観察 ,  原子間力顕微鏡 ,  MOS構造 ,  電流電圧特性 ,  化学蒸着
準シソーラス用語： ゲート酸化膜 ,  原子層蒸着 ,  酸化物薄膜 ,  導電性原子間力顕微鏡

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (6件)： Al2O3 ,  超薄膜 ,  絶縁破壊 ,  電流計測 ,  原子間力顕微鏡 ,  研究