文献

J-GLOBAL ID：201102274278400371   整理番号：11A1811330

光相互接続のためのGaInAsP/InP膜レーザ

GaInAsP/InP Membrane Lasers for Optical Interconnects

著者 (4件)： ARAI Shigehisa (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  NISHIYAMA Nobuhiko (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  MARUYAMA Takeo (Kanazawa Univ., Ishikawa, JPN) ,  OKUMURA Tadashi (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 17  号： 5  ページ： 1381-1389  発行年： 2011年09月 
JST資料番号： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低電力消費の長波長GaInAsP/InPレーザの作製における最近の発展を概観した。DFB及びDRレーザは,数100μWから1mWレベルまでの出力電力をもつ,面内光集積回路に対する有望な光源であるが,膜レーザも,等しい低電力消費を達成するための有望な代替物である。それらの非常に魅力的な特性は,活性領域の光閉じ込め因子のみならず,格子の屈折率結合係数の増倍であった。横電流注入(LCI)-Fabry-Perot及びLCI-DFBレーザを,SI-InP基板上に作製した。後者の閾値電流及び微分量子効率は満足すべきものであった。

シソーラス用語： *レーザ ,  *ヒ化リン化インジウムガリウム ,  *リン化インジウム ,  波長 ,  光集積回路 ,  光源 ,  格子 ,  屈折率 ,  *分布帰還形レーザ ,  量子効率 ,  光閉込め ,  閾値電流
準シソーラス用語： *膜レーザ ,  *低電力 ,  *長波長 ,  光相互接続 ,  *横電流注入 ,  *Fabry-Perotレーザ ,  DFBレーザ

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  光集積回路,集積光学  (BD06050D)

タイトルに関連する用語 (4件)： 光相互接続 ,  GaInAsP ,  InP ,  レーザ