文献

J-GLOBAL ID：201102274920034457   整理番号：11A0306304

積極的SRAFを含むILTのモデル予測精度の改善

Improving Model Prediction Accuracy for ILT with Aggressive SRAFs

著者 (12件)： JUNG Sunggon (Samsung Electronics, Gyeonggi-Do, KOR) ,  SIM Woojoo (Samsung Electronics, Gyeonggi-Do, KOR) ,  JEONG Moongyu (Samsung Electronics, Gyeonggi-Do, KOR) ,  SER Junghoon (Samsung Electronics, Gyeonggi-Do, KOR) ,  LEE Sungwoo (Samsung Electronics, Gyeonggi-Do, KOR) ,  CHOI Seoung-Woon (Samsung Electronics, Gyeonggi-Do, KOR) ,  ZHOU Xin (Luminescent Technol., CA, USA) ,  LUAN Lan (Luminescent Technol., CA, USA) ,  CECIL Thomas (Luminescent Technol., CA, USA) ,  SON Donghwan (Luminescent Technol., CA, USA) ,  GLEASON Robert (Luminescent Technol., CA, USA) ,  KIM David (Luminescent Technol., CA, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7823  号： Pt.1  ページ： 782311.1-782311.6  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 積極的(A)SRAF(サブ分解能支援特徴)はサブ30nm半導体IC製造に十分なプロセス窓と収率の確保にとって必要である。そのためにはASRAFを含むILT(逆リソグラフィー法)またはOPC(光近接効果補正)におけるクリティカルディメンション(CD)とサイドローブ(SL)を正確に予測するモデルが必要になる。従来の経験的モデルはCD予測に適用できるが,SL予測性能が悪い欠点がある。ここでは物理現象に基づく新モデルによる予測改善を試みた。このモデルはフォトレジストの光学的および化学的プロセスを取入れて,較正測定領域外への外挿を可能にした。ASRAFを含むパターンのSEM測定画像を新旧二つのモデルによる予測を用いて比較し,新モデルの有効性を検証した。その結果,二つのモデルは主特徴に対してほとんど同じCDを予測するが,新モデルはSLをより良く予測することが分かった。SL予測精度の向上はDOF(焦点深度)の改善をもたらした。

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,  *解析モデル ,  近接効果 ,  長さ ,  サイドローブ ,  フォトレジスト ,  *パターン形成 ,  予測モデル ,  焦点深度 ,  予測誤差
準シソーラス用語： クリティカルディメンジョン ,  *逆リソグラフィー

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： SRAF ,  モデル ,  予測精度