InP(001)上のGaSbの分子ビームエピタキシャル成長とその場堆積Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>ゲート酸化物による不動態化

MERCKLING C.; SUN X.; ALIAN A.; BRAMMERTZ G.; AFANAS’EV V. V.; HOFFMANN T. Y.; HEYNS M.; CAYMAX M.; DEKOSTER J.

文献

J-GLOBAL ID：201102276572673729 整理番号：11A0826102

InP(001)上のGaSbの分子ビームエピタキシャル成長とその場堆積Al₂O₃ゲート酸化物による不動態化

GaSb molecular beam epitaxial growth on p-InP(001) and passivation with in situ deposited Al²O³ gate oxide

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資料名：
巻： 109 号： 7 ページ： 073719 発行年： 2011年04月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

将来のCMOS世代への高いキャリア移動度の材料の統合が,将来世代のCMOSデバイスにおける駆動電流能力を増大させてパワー消費を減少させるために現在研究されている。もしIII-V材料がn型チャネルデバイスに対する選択の候補であれば,アンチモン化物ベースの半導体は高い移動度を示し,p型チャネルデバイスのために使うことができる。この研究では,著者らは最初にInP(100)基板上の完全に緩和したGaSbエピ層のヘテロエピタクシーを実証する。第二部では,Al²O³高kゲート誘電体のその場堆積によってAl²O³/GaSb界面の性質を研究した。その界面は急峻で実質的な界面層は無く,伝導バンドと価電子バンドのオフセットによって特徴付けられる。最後に,MOSキャパシタはバンドギャップに沿っての比較的低いD_itを持つ良い形のC-Vを示し,結果はAl²O³/GaSb界面の効率的な電気的不動態化を示している。(翻訳著者抄録)

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金属-絶縁体-半導体構造 , LCR部品

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InP(001)上のGaSbの分子ビームエピタキシャル成長とその場堆積Al2O3ゲート酸化物による不動態化

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