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J-GLOBAL ID：201102276585421800   整理番号：11A0531653

FETにおけるバンド状輸送を示す溶液加工可能な有機単結晶

Solution-Processable Organic Single Crystals with Bandlike Transport in Field-Effect Transistors

著者 (6件)： LIU Chuan (National Inst. Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  MINARI Takeo (National Inst. Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  LU Xubing (National Inst. Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  KUMATANI Akichika (National Inst. Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  TAKIMIYA Kazuo (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  TSUKAGOSHI Kazuhito (National Inst. Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 23  号： 4  ページ： 523-526  発行年： 2011年01月25日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ジオクチルベンゾチエノベンゾチオフェン(C8-BTBT)とポリメタクリル酸メチルを含むクロロベンゼン溶液をSiO₂基板上にスピンコーティング,相分離によりC8-BTBT/酸化ケイ素界面を形成した。溶媒蒸気アニーリングによりC8-BTBT単結晶を成長させた。長い(400μm)結晶の生成により良好な半導体/絶縁体界面が得られた。原子間力顕微鏡,X線回折によりキャラクタリゼーションを行った。酸化モリブデンおよび金電極の蒸着によりFETを作製した。FET移動度3.0(最高9.1)cm²/Vsを達成した。低温でFET移動度は9.1cm²/Vsまで増大し,固有バンドギャップ状の電子輸送特性を示した。

シソーラス用語： *芳香族縮合化合物 ,  *硫黄複素環化合物 ,  ポリメタクリル酸メチル ,  高分子溶液 ,  酸化ケイ素 ,  スピンコーティング ,  *ミクロ相分離 ,  熱処理 ,  単結晶 ,  *結晶成長 ,  X線回折 ,  原子間力顕微鏡 ,  酸化モリブデン ,  金電極 ,  蒸着膜 ,  *FET【トランジスタ】 ,  キャリア移動度 ,  温度依存性 ,  バンドギャップ ,  蒸気処理 ,  *ベンゾチオフェン誘導体
準シソーラス用語： *OFET

分類 (4件)： 有機化合物の結晶成長  (BK13070E) ,  固-気界面一般  (CB12041H) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： 2,7-ジオクチル[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチオフェン

タイトルに関連する用語 (5件)： FET ,  バンド ,  輸送 ,  溶液 ,  単結晶