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J-GLOBAL ID：201102277029253309   整理番号：11A1702919

室温におけるAu/Biドープのポリビニルアルコール(PVA)/n-SiSchottky障壁ダイオードにおける直列抵抗や界面状態のI-V,C-V,およびG/ω-V特性への効果

Effect of series resistance and interface states on the I-V, C-V and G/ω-V characteristics in Au/Bi-doped polyvinyl alcohol (PVA)/n-Si Schottky barrier diodes at room temperature

著者 (4件)： DEMIREZEN S. (Dep. of Physics, Fac. of Arts and Sciences, Gazi Univ., 06500 Ankara, TUR) ,  SOENMEZ Z. (Dep. of Physics, Fac. of Arts and Sciences, Gazi Univ., 06500 Ankara, TUR) ,  AYDEMIR U. (Dep. of Physics, Fac. of Arts and Sciences, Gazi Univ., 06500 Ankara, TUR) ,  ALTINDAL S. (Dep. of Physics, Fac. of Arts and Sciences, Gazi Univ., 06500 Ankara, TUR)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 12  号： 1  ページ： 266-272  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Au/PVA(Bi-ドープ)/n-Siショットキーバリアダイオード(SBDs)の正逆のバイアス電流-電圧(I-V),容量-電圧(C-V),およびコンダクタンス-電圧(G/ω-V)特性を室温で界面状態(N_ss)と直列抵抗(R_s)の効果を考慮して調べている。抵抗(R_i)の電圧依存性がI-VおよびC/G-Vの両測定からオームの法則と二コリアン法を用いて得られた。ダイオードのR_sの値に対応する十分に高いバイアス電圧において互いに良く一致するR_iの値を得ている。したがってN_ssのエネルギー密度分布プロファイルが実効的障壁高さ(BH)Φ_eとR_sのバイアス依存性を考慮してフォワードバイアスI-Vデータから得られた。高い理想係数(n)はN_ssの高い密度や金属/半導体(M/S)界面における界面ポリマー層によっている。ドーピングドナー濃度(N_D,Φ_e,R_s,N_ss値などのいくつかの電気パラメータの周波数依存性を調べるためにダイオードのC-V,G/ω-V測定を室温でかつ周波数50kHz-5MHzの範囲で実施した。実験値からN_ss,R_sおよび界面層がSBDの電気特性に影響する重要な因子であることを確かめている。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *Schottky障壁ダイオード ,  *金 ,  *ポリビニルアルコール ,  *ケイ素 ,  半導体 ,  *ドーピング ,  ビスマス ,  *電流電圧特性 ,  *容量電圧特性 ,  特性 ,  周波数依存性 ,  パラメータ ,  電気抵抗
準シソーラス用語： コンダクタンス電圧特性 ,  直列抵抗

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 室温 ,  Au ,  Bi ,  ドープ ,  ポリビニルアルコール ,  直列抵抗 ,  界面状態