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J-GLOBAL ID:201102279403826400   整理番号:11A0553849

低エネルギーイオンビーム浸食中にSi表面に形成される自己組織化ナノ構造

Formation of self-organized nanostructures on Si surfces during low energy ion beam erosion
著者 (4件):
資料名:
巻: 7657  ページ: 76570Q.1-76570Q.5  発行年: 2010年 
JST資料番号: D0943A  ISSN: 0277-786X  CODEN: PSISDG  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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エピポリッシュした市販のSi(100)で表面粗さが約0.2nm(rms)の試料を用いた。イオンはAr+,ガスの純度は5ナイン,圧力は0.5から3Paであった。イオンエネルギー1000eVのイオンを垂直入射(入射角0度)で照射した試料面に密なドットパターンが形成された。入射角5度で照射した試料面にはさざ波パターンが形成された。さざ波パターンはBradleyとHarperのモデルに一致していた。
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分類 (2件):
分類
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電子ビーム・イオンビームの応用  ,  固体デバイス製造技術一般 

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