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J-GLOBAL ID：201102280364509815   整理番号：11A0131913

シンクロトロン放射光電子放出分光で調べたTiN/HfSiONゲートスタック構造の熱安定性

Thermal stability of TiN/HfSiON gate stack structures studied by synchrotron-radiation photoemission spectroscopy

著者 (7件)： TOYODA S. (Dep. of Applied Chemistry, The Univ. of Tokyo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  KAMADA H. (Dep. of Applied Chemistry, The Univ. of Tokyo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  KUMIGASHIRA H. (Dep. of Applied Chemistry, The Univ. of Tokyo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  OSHIMA M. (Dep. of Applied Chemistry, The Univ. of Tokyo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  IWAMOTO K. (Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Kohoku-ku, Kanagawa 222-0033, JPN) ,  SUKEGAWA T. (Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Kohoku-ku, Kanagawa 222-0033, JPN) ,  LIU Z. (Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Kohoku-ku, Kanagawa 222-0033, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 26  ページ： 262903  発行年： 2010年12月27日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シンクロトロン放射光電子放出分光を用いてTiN/HfSiONゲートスタック構造の熱安定性を調べた。Si 2p内殻準位スペクトルにおけるSi酸化物成分のスペクトル強度はアニール温度に従い組成的に増加して,TiN金属ゲート層の厚みに強く依存する。アニール法による原子濃度の深さプロフィル変化から,TiN表面にSi原子が偏析するのが分かった。さらに,角度分解光電子放出分光による化学状態分析の深さ解析から,TiN膜成長の際にHfSiON層の化学結合が破壊されることによりTiSi_x及びHfN_y成分の形成が示唆された。これは熱安定性の低下に関係している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： MOSFET ,  ゲート【半導体】 ,  電極材料 ,  チタン化合物 ,  *窒化物 ,  *絶縁膜 ,  *ハフニウム化合物 ,  *ケイ素化合物 ,  *酸化物 ,  *熱安定性 ,  シンクロトロン放射 ,  光電子分光法 ,  分光分析 ,  焼なまし ,  温度依存性 ,  スペクトル線強度 ,  膜厚 ,  深さプロフィル ,  化学結合 ,  熱分解
準シソーラス用語： アニール

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (7件)： シンクロトロン放射光 ,  電子放出 ,  分光 ,  TiN ,  HfSiON ,  ゲートスタック ,  熱安定性