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J-GLOBAL ID：201102282051760650   整理番号：11A0666216

電子サイクロトロン共鳴プラズマポスト酸化により作製した低界面捕獲のAl₂O₃/GeO_x/Geゲートスタック

Al₂O₃/GeO_x/Ge gate stacks with low interface trap density fabricated by electron cyclotron resonance plasma postoxidation

著者 (5件)： ZHANG R. (School of Engineering, The Univ. of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  IWASAKI T. (School of Engineering, The Univ. of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  TAOKA N. (School of Engineering, The Univ. of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  TAKENAKA M. (School of Engineering, The Univ. of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  TAKAGI S. (School of Engineering, The Univ. of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 98  号： 11  ページ： 112902  発行年： 2011年03月14日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子サイクロトロン共鳴(ECR)プラズマでのポスト酸化法を採用してAl₂O₃/GeO_x/Geの金属-酸化物-半導体(MOS)構造を作製した。X線光電子分光及び透過型電子顕微鏡による評価から,Al₂O₃/Ge構造をECR酸素プラズマに暴露するとAl₂O₃キャップ層の下にGeO_x層が形成されることが分かった。Au/Al₂O₃/GeO_x/Ge MOSキャパシタの界面捕獲密度D_it)は10¹¹cm^-2eV^-1以下に著しく抑制されることが分かった。特に,10s以下と短いプラズマポスト酸化時間でも酸化物換算厚み(EOT)を維持したままでD_itを十分減少できる。その結果,p及びn型基板のAl₂O₃/GeO_x/Ge MOS構造でそれぞれ5×10¹⁰cm^-2eV^-1と1.67nm,及び6×10¹⁰cm^-2eV^-1と1.83nmの最小D_it値とEOTを実現した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： MOSFET ,  ゲート【半導体】 ,  *絶縁膜 ,  *酸化アルミニウム ,  基板 ,  ゲルマニウム ,  *MOS構造 ,  ECRプラズマ ,  酸化 ,  境界層 ,  酸化ゲルマニウム ,  密度 ,  膜厚 ,  界面層 ,  トラップ密度 ,  プラズマ ,  層
準シソーラス用語： 捕獲密度 ,  酸化物換算厚み

分類 (2件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 電子サイクロトロン共鳴プラズマ ,  酸化 ,  作製 ,  界面 ,  捕獲 ,  Al2O3 ,  Ge ,  ゲートスタック