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J-GLOBAL ID：201102282130658399   整理番号：11A0857484

窒素ドープ-ZnO/n-GaNヘテロ接合

Nitrogen doped-ZnO/n-GaN heterojunctions

著者 (10件)： CHEN Xin Yi (Dep. of Physics, The Univ. of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong) ,  FANG Fang (Dep. of Physics, The Univ. of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong) ,  NG Alan M. C. (Dep. of Physics, The Univ. of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong) ,  DJURISIC Aleksandra B. (Dep. of Physics, The Univ. of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong) ,  CHEAH Kok Wai (Dep. of Physics, Hong Kong Baptist Univ., Kowloon Tong, Hong Kong) ,  LING Chi Chung (Dep. of Physics, The Univ. of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong) ,  CHAN Wai Kin (Dep. of Chemistry, The Univ. of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong) ,  FONG Patrick W. K. (Dep. of Electronic and Information Engineering, Hong Kong Polytechnic Univ., Hung Hom, Hong Kong) ,  LUI Hsian Fei (Dep. of Electronic and Information Engineering, Hong Kong Polytechnic Univ., Hung Hom, Hong Kong) ,  SURYA Charles (Dep. of Electronic and Information Engineering, Hong Kong Polytechnic Univ., Hung Hom, Hong Kong)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 109  号： 8  ページ： 084330  発行年： 2011年04月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒素ドープZnOナノロッドを,他の成長条件(ドーパント前駆体,濃度,成長温度とバイアス)を同一にして,2つの異なるZn前駆体(硝酸亜鉛と酢酸亜鉛)を使い電着で準備した。使う前駆体がZnOナノロッドの特性に影響を及ぼし,そして,n-GaN/N:ZnOヘテロ接合で整流特性の存在はZnO成長のために硝酸塩前駆体の使用と強く関連があることを示した。2つの前駆体から得たZnOの特性の違いは試料の電子特性に影響を及ぼす天然の欠陥と不純物濃度の違いに帰された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 窒素 ,  ドーピング ,  *酸化亜鉛 ,  *窒化ガリウム ,  ナノロッド ,  濃度 ,  成長 ,  温度 ,  亜鉛化合物 ,  硝酸塩 ,  *整流
準シソーラス用語： 硝酸亜鉛

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： 酢酸亜鉛

タイトルに関連する用語 (2件)： 窒素ドープ ,  ヘテロ接合