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J-GLOBAL ID：201102284580573256   整理番号：11A1180048

逆方向阻止IGBT用深部拡散とV形溝を用いた混成分離プロセス

Hybrid Isolation Process with Deep Diffusion and V-Groove for Reverse Blocking IGBTs

著者 (6件)： NAKAZAWA Haruo (Fuji Electric Holdings Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  OGINO Masaaki (Fuji Electric Holdings Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  WAKIMOTO Hiroki (Fuji Electric Holdings Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  NAKAJIMA Tsunehiro (Fuji Electric Holdings Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  TAKAHASHI Yoshikazu (Fuji Electric Holdings Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  LU David Hongfei (Fuji Electric Systems Co., Ltd., Nagano, JPN)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 23rd  ページ： 116-119  発行年： 2011年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 長時間熱拡散に関連した問題を克服するため,ウエハ表面ボロン深部拡散と裏面V形溝エッチングを用いた新混成分離プロセスを開発し,逆方向阻止1200V絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(RB-IGBT)の作製にそのプロセスを適用した。双方向スイッチとして新1200V RB-IGBTおよび主スイッチとして1700V IGBTとフリーホイールダイオード(FWD)を用いた,先端中間点固定型(A-NPC)3レベルインバータは,98.57%の高変換効率を得た。2レベルインバータと従来型NPC 3レベルインバータと比較して,A-NPCインバータは各々3,1%と15%電力損失を低減した。また,充分な逆阻止層能力について実験検証した。

シソーラス用語： *IGBT ,  *アイソレーション【IC】 ,  ホウ素 ,  *不純物拡散 ,  熱拡散 ,  *溝加工 ,  ウエハ【IC】 ,  エッチング ,  電流電圧特性 ,  漏れ電流 ,  クランプ回路 ,  インバータ ,  *逆方向
準シソーラス用語： V溝 ,  中性点クランプ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 阻止 ,  IGBT ,  深部 ,  拡散 ,  V形溝 ,  分離プロセス