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J-GLOBAL ID：201102284931164463   整理番号：11A1812903

コバルトにおける強磁性相転移の室温における電気的制御

Electrical control of the ferromagnetic phase transition in cobalt at room temperature

著者 (7件)： CHIBA D. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  CHIBA D. (JST-PRESTO, Saitama, JPN) ,  FUKAMI S. (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  SHIMAMURA K. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  ISHIWATA N. (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  KOBAYASHI K. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  ONO T. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Nature Materials  (Nature Materials)
巻： 10  号： 11  ページ： 853-856  発行年： 2011年11月 
JST資料番号： W1364A  ISSN： 1476-1122  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピントロニクスデバイスには磁気特性の電気的制御が不可欠で,金属および半導体において実現されている。しかしながら,キュリー温度の電気的制御は半導体に限られている。本研究では,Co薄膜をゲート電極と誘電体膜で挟んだ電界効果デバイスを作製し,電場の印加によりキュリー温度が変化することを初めて示した。GaAs基板上にスパッタリング法で,0.4nm厚さのCo薄膜を堆積し,2nm厚さのMgO層でキャップして電界効果デバイスを作製すると共に,6端子法によるホール効果測定試料を作製した。磁化測定の結果,Coの2次元性を反映して,キュリー点は室温付近に低下していることを確認した。また,ゲート電場を±2MV印加した時,Coのキュリー点が12K変化することを見出した。

シソーラス用語： *コバルト ,  金属薄膜 ,  *Curie温度 ,  制御 ,  強磁性 ,  FET【トランジスタ】 ,  電場効果 ,  スパッタ蒸着 ,  超薄膜 ,  Hall効果 ,  スピントロニクス ,  *相 ,  *相転移 ,  *半導体素子 ,  誘電体薄膜 ,  電極 ,  ヒ化ガリウム ,  酸化マグネシウム ,  *電気制御
準シソーラス用語： ゲート電極 ,  *強磁性相 ,  磁性相 ,  *電界効果デバイス

分類 (2件)： 磁電デバイス  (NC03100X) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (5件)： コバルト ,  強磁性 ,  相転移 ,  室温 ,  電気的制御