文献

J-GLOBAL ID：201102286192734720   整理番号：11A0136766

カルーセルスパッタ法における異方性入射粒子の形成と堆積に及ぼす下地層の影響

Effect of Underlayer on the Deposition and Arrangement of Anisotropically Incident particles in the Carrousel Sputtering Method

著者 (4件)： 今泉良一 (祟城大) ,  宗像誠 (祟城大) ,  大越正敏 (九州工大) ,  槙孝一郎 (住友金属鉱山)
資料名： 電気学会マグネティックス研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： MAG-10  号： 199-201.203-212  ページ： 59-64  発行年： 2010年12月16日 
JST資料番号： Z0924A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 一軸異方性磁界発現の主要因である異方性入射粒子に及ぼす下地層の影響について解析するため,スパッタ粒子入射シミュレーションを用いてRu下地層の形成過程について解析した。カルーセルスパッタ法では,Ru粒子の異方性入射効果が顕著に存在していることが分かった。それによって基板表面に一様で薄い下地層が形成される。これと連動して,カルーセルヅパッタ法で作製された下地層は,従来の二極スパッタ法で作製された下地層に比べて表面エネルギーが低くなることを概算することができた。

シソーラス用語： *スパッタ蒸着 ,  異方性 ,  粒子 ,  堆積 ,  下層 ,  *磁性薄膜 ,  ルテニウム ,  表面エネルギー ,  *軟磁性材料
準シソーラス用語： *カルーセルスパッタ法 ,  入射粒子 ,  下地層

分類 (2件)： 磁性材料  (NA04040H) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (14件)：

• M. Yamaguchi: IEE J., 123, 716,(2003).
• M. Yamaguchi, and K. I. Arai: J. Magn. Soc. Jpn., 25, 59(2001).
• K. Ikeda, K. Kobayashi, K. Ota, R. Kondo, T. Suzuki, and M. Fujimoto: IEEE Trans. Magn., 39, 3057,(2003).
• M.Sonehara, T.Sugiyama, T. Sato, K. Yamasawa, and Y. Miura: J. Magn. Soc. Jpn., 6, 225,(2005).
• M.naoe, S. Yamanaka, and Y. Hoshi: IEEE. Trans. Magn., 16, 646(1980).

タイトルに関連する用語 (5件)： カルーセル ,  スパッタ法 ,  異方性 ,  堆積 ,  下地層