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J-GLOBAL ID：201102287323354046   整理番号：11A1668804

ミラー電子顕微鏡を用いた4H-SiCエピタキシャル層でのイングロウン(in-grown)積層欠陥の非破壊観察

Non-destructive observation of in-grown stacking faults in 4H-SiC epitaxial layer using mirror electron microscope

著者 (2件)： HASEGAWA Masaki (Central Res. Lab., Hitachi Ltd., 1-280, Higashi-koigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, JPN) ,  OHNO Toshiyuki (Central Res. Lab., Hitachi Ltd., 1-280, Higashi-koigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 110  号： 7  ページ： 073507  発行年： 2011年10月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： nドープ4H-SiCエピタキシャル層(厚さ4μm)について,ミラー電子顕微鏡(MEM)観察を行った。試料を,4H-SiCのバンドギャップエネルギーより僅かに大きいエネルギーの紫外線(UV)で同時に照射すると,MEM像に,イングロウン(in-grown)積層欠陥(IGSF)を明瞭に観察できた。これらの観察では,試料に印加した負電圧によって,ほとんど全ての照射電子が試料表面に入射することなく戻るので,観察は非破壊的であった。MEMを介した高い空間分解能での観察は,多重IGSFの形成を示した。UV照射しない場合およびバンドギャップエネルギーより低いエネルギーの紫外線照射のIGSFのコントラストが消滅する現象は,このコントラストの起源がUVに励起されたIGSG捕獲電子の負帯電であることを明らかにした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  ポリタイプ ,  *エピタクシー ,  *半導体薄膜 ,  *積層欠陥 ,  紫外線照射 ,  電子顕微鏡観察 ,  電子顕微鏡 ,  エネルギー ,  非破壊測定 ,  空間分解能 ,  高分解能
準シソーラス用語： バンドギャップエネルギー ,  ミラー電子顕微鏡

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： ミラー ,  電子顕微鏡 ,  4H-SiC ,  エピタキシャル層 ,  積層欠陥 ,  観察