文献

J-GLOBAL ID：201102288037724096   整理番号：11A0926706

電気化学蒸着法による透明p型Cu_xZn_ySの製作

Fabrication of Transparent p-Type Cu_xZn_yS Thin Films by the Electrochemical Deposition Method

著者 (2件)： YANG Kai (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN) ,  ICHIMURA Masaya (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 50  号： 4,Issue 1  ページ： 040202.1-040202.3  発行年： 2011年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu_xZn_yS薄膜はCuSO₄,ZnSO₄およびNa₂S₂O₃を含む水溶液を使用する電気化学蒸着(ECD)法によりインジウム錫酸化物被覆ガラス基板上に蒸着された。最適条件で蒸着された膜は高い光透過率を示し,そしてエネルギーバンドギャップは約3.2eVであった。Cu_xZn_ySはp型伝導と感光性を示した。ZnO/Cu_xZn_ySへテロ接合を製作するために,n型ZnO薄膜がECDによってCu_xZn_yS上に蒸着された。電流-電圧測定で,ヘテロ接合は整流特性を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電気化学 ,  化学蒸着 ,  硫化物 ,  亜鉛化合物 ,  銅化合物 ,  *ヘテロ接合 ,  *透過率 ,  *バンドギャップ ,  整流 ,  電流電圧特性 ,  酸化亜鉛 ,  薄膜
準シソーラス用語： 化学蒸着法 ,  *光透過率 ,  整流作用

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

引用文献 (13件)：

• 1) H. M. Pathan, J. D. Desai, and C. D. Lokhande: Appl. Surf. Sci. 202 (2002) 47.
• 2) M. T. S. Nair and P. K. Nair: Semicond. Sci Technol. 4 (1989) 191.
• 3) J. Podder, R. Kobayashi, and M. Ichimura: Thin Solid Films 472 (2005) 71.
• 4) K. Anuar, Z. Zainal, M. Z. Hussein, N. Saravanan, and I. Haslina: Sol. Energy Mater. Sol. Cells 73 (2002) 351.
• 5) T. Yukawa, K. Kuwabara, and K. Koumoto: Thin Solid Films 280 (1996) 160.

タイトルに関連する用語 (2件)： 電気化学蒸着 ,  製作